意法半導體(ST)推出新MasterGaN4，其功率封裝整合了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率電晶體，以及最佳化的閘極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高效能電源轉換應用設計。
作為意法半導體MasterGaN系列的最新產品，MasterGaN4解決了複雜的閘極控制和電路配置挑戰，並進一步簡化了寬能隙GaN功率半導體的應用設計。MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接與控制器連線，例如，霍爾效應感測器或微控制器、DSP處理器、FPGA可程式設計元件等CMOS晶片。
GaN電晶體的優勢包括出色的開關性能、更高的運作頻率、更高效能效，而且發熱更少，設計人員可以選用尺寸更小的磁性元件和散熱器，以設計出更小、更輕的電源、充電器和轉接頭。MasterGaN4非常適用於對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式轉換器。
4.75V~9.5V的寬電源電壓便於MasterGaN4與現有電源軌連線。內建保護功能，包括閘極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護，可進一步簡化應用設計。另外還有一個專用的關斷腳位。