意法半導體(STMicroelectronics,ST)所推出的STPOWER LDMOS電晶體產品家族最近新增數款產品，該產品家族有三個不同的產品系列，皆可針對各種商用和工業用射頻功率放大器(PA)進行優化設計。STPOWER LDMOS為高效能和低熱阻，封裝晶片可處理高射頻功率的封裝，兼具短傳導通道和高崩潰電壓。
新STPOWER LDMOS IDCH和IDDE兩個系列是28V/32V共源N通道加強式橫向擴散金屬氧化物場效應射頻功率電晶體，並擴大了產品的目標應用範圍。IDCH系列的輸出功率為8W到300W，為最高作業頻率4GHz的應用而專門設計，包括2.45GHz工業、科學和醫療(ISM)設備、無線基礎設施、衛星通訊、航空電子和雷達設備。
IDDE系列則包含10W-700W產品，用於最高頻率1.5GHz的商業、工業和科學寬頻通訊，可在所有相位承受10：1的負載電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio,VSWR)，適用於所有典型的訊號調製格式，亦適用於大多數類別的射頻功率放大，包括A類、AB類和C類。高效能表現可最大限度地減少達到目標輸出功率所需能量，降低運作成本和散熱量，簡化熱管理設計，以達到更緊湊的系統。
意法半導體的IDEV系列也推出了新的50V共源N通道加強式橫向場效應射頻功率電晶體。IDEV產品組合的輸出功率範圍為15W到2.2kW，設計用於最高頻率250MHz之工業、科學和醫療設備，包括驅動高功率CO2雷射器、等離子體產生器、MRI系統、88MHz–108MHz的廣播調頻無線電發射機，以及頻率高達1.5GHz的航空電子設備和雷達。該系列適用於所有典型調製格式以及A類、AB類和C類功率放大器。
在高頻(3-30MHz)到250MHz頻率範圍內，性能強大的IDEV系列能夠提供最高2.2kW的連續波(Continuous-Wave,CW)輸出功率，採用單層陶瓷封裝，因此減少了廣播發射機等大功率應用所需的射頻功率電晶體的總數量。效能高出82%，有助於將系統功耗需求降至最低，並確保系統運作可靠，設計簡單的散熱管理。