意法半導體(ST)與研究應用科技(Carnot STAR)協會成員，法國普羅旺斯材料、微電子和奈米電子研究院宣布，正式啟用其新設立的聯合實驗室。雙方有多年密切合作經驗，希望能憑藉多項成功聯合研發專案，開發下一代高可靠性超微(Ultra-Miniaturized)電子元件。
意法半導體(ST)與研究應用科技(Carnot STAR)協會成員，法國普羅旺斯材料、微電子和奈米電子研究院宣布，正式啟用其新設立的聯合實驗室。雙方有多年密切合作經驗，希望能憑藉多項成功聯合研發專案，開發下一代高可靠性超微(Ultra-Miniaturized)電子元件。
輻射效應(Radiation Effects)與電氣可靠性(REER)聯合實驗室是一個跨區域的研究機構，彙集馬賽、土倫兩個城市IM2NP研究人員及位於格勒諾布爾附近的ST Crolles實驗室技術專業人員。
REER聯合實驗室科學專案分為兩個主要研究領域，輻射對奈米級數位電路的影響，及奈米級互補性金屬氧化半導體(CMOS)技術的電氣可靠性。這兩個研究方向對於意法半導體能否研發可靠性極高的整合電路至關重要，汽車、網路、醫療、航空及保全等應用均對整合電路可靠性有非常高的要求。
這些研發專案將具有全球性競爭力，以最先進微電子技術為主要研發專案，例如28奈米及以下的技術節--完全耗盡型絕緣矽(FD-SOI)製程，其為全球最具創新性及指標性的奈米級整合電路。
意法半導體網址：www.st.com