意法半導體(ST)的雙極性功率電晶體--3STL2540，提供雙極性電晶體的成本優勢和矽面積使用效率，同時兼具同等級金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的能效，為設計人員提供一個節省空間的低成本電源管理和直流對直流(DC-DC)電源轉換器解決方案。
意法半導體(ST)的雙極性功率電晶體--3STL2540，提供雙極性電晶體的成本優勢和矽面積使用效率，同時兼具同等級金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的能效，為設計人員提供一個節省空間的低成本電源管理和直流對直流(DC-DC)電源轉換器解決方案。
3STL2540在完全飽和狀態時，最大電壓降(Voltage Drop)為200毫伏特(mV)，基極電流(Base Current)僅為10毫安培(mA)。其等效導通電阻僅為90毫歐姆(mΩ)，接近同等級超級邏輯層MOSFETs(Super Logic-level MOSFETs)的性能。
3STL2540的核心技術是意法半導體的先進的雙金屬層平面基島(Base Island)技術，在0.2～10V的寬輸出電壓下，溫度在攝氏-30°C到150°C範圍內，連續高電流增益(Consistently High Current Gain, hFE)至少保持在100，創下業界同類元件最低的導通損耗記錄。高熱效率封裝PowerFLAT僅0.6毫米(mm)高，封裝面積為2毫米x2毫米，可在最小的印刷電路板內實現高性能功率電路。
意法半導體網址：www.st.com