意法半導體(ST)STripFET F7系列低電壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)新添三款100伏特(V)車規產品--STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和STP315N10F7最佳化體汲極二極體(Body-drain Diode)性能，這些產品在工作電壓範圍內最大幅度地降低電壓突波(Voltage Spikes)和開關噪音，實現更穩固、更可靠和更高效的設計。
意法半導體(ST)STripFET F7系列低電壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)新添三款100伏特(V)車規產品--STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和STP315N10F7最佳化體汲極二極體(Body-drain Diode)性能，這些產品在工作電壓範圍內最大幅度地降低電壓突波(Voltage Spikes)和開關噪音，實現更穩固、更可靠和更高效的設計。
STripFET F7經強化的通道閘(Trench-gate)架構可降低通態電阻，同時降低內部電容和閘電荷，使開關速度更快、能效更高。這三款產品將這些優勢導入汽車市場，創下汽車市場上最低的RDS(on)×面積和關機電能(Eoff)參數。
新功率MOSFET是意法半導體針對汽車應用專門開發的產品，能夠滿足汽車應用對大電流、高功率密度和高能效的要求，目標應用包括混合動力汽車和電動車的直流對直流(DC-DC)轉換器、直流對交流(DC-AC)逆變器和諧振LC轉換器。
意法半導體網址：www.st.com