英飛凌(Infineon)擴增StrongIRFET Power金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品。該款Logic Level StrongIRFET可由微控制器(MCU)直接驅動，降低空間受限應用複雜程度，此外還兼具高度耐用性，從而提高電子裝置使用壽命。
英飛凌(Infineon)擴增StrongIRFET Power金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品。該款Logic Level StrongIRFET可由微控制器(MCU)直接驅動，降低空間受限應用複雜程度，此外還兼具高度耐用性，從而提高電子裝置使用壽命。
經過試用及測試的StrongIRFET系列產品可達到最高能源效率。透過新推出邏輯位準延伸產品，英飛凌讓StrongIRFET不再需要獨立驅動器，滿足市場需求。邏輯位準的變化下可將柵極源極電壓降低至4.5伏特(V)，因此可在許多應用中直接連接微控制器至MOSFET。
英飛凌電源管理及多元電子事業處產品行銷協理Stéphane Ernoux表示，Logic Level StrongIRFET可降低各種應用的電子設計複雜性，並展現無可匹敵的堅固耐用性。
新產品仍具備了StrongIRFET系列一貫的高效能特性，低導通電阻(典型：0.52mΩ/最大：0.97mΩ)可降低傳導損耗，高載流能力可提升功率能力，而耐用的矽晶片則提供高系統可靠性。
英飛凌網址：www.infineon.com