意法半導體(ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品是全球首款擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極(Drain-to-source)崩潰電壓(Breakdown Voltage)的電晶體，並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中。
意法半導體(ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品是全球首款擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極(Drain-to-source)崩潰電壓(Breakdown Voltage)的電晶體，並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中。
新產品鎖定電腦伺服器及工業自動化市場。伺服器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是讓伺服器最大幅度減少斷電停機時間的關鍵因素，焊接、工廠自動化等工業應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超接面MOSFET技術的出色動態開關性能使其成為工業應用的最佳選擇。
新產品是目前主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振(Quasi-resonant)與主動式箝位返馳轉換器以及LLC半橋式轉換器，均要求寬輸入電壓、高能效(高達96%)以及輸出功率近200W的電源。
意法半導體網址:www.st.com