意法半導體(ST)的溝槽式低壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)STripFET F7系列將擴增60伏特(V)的產品線，可協助電信、伺服器和桌上型電腦的電源以及工業電源和太陽能微逆變器的直流對直流(DC-DC)電源轉換器達到嚴苛的能效標準、最大幅度地提升電源功率密度。
意法半導體(ST)的溝槽式低壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)STripFET F7系列將擴增60伏特(V)的產品線，可協助電信、伺服器和桌上型電腦的電源以及工業電源和太陽能微逆變器的直流對直流(DC-DC)電源轉換器達到嚴苛的能效標準、最大幅度地提升電源功率密度。
STripFET F7 MOSFET提高導通能效與開關性能，還簡化通道間溝槽式結構(Trench-gate Structure)，實現極低導通電阻、電容及閘極電荷，並取得優異的品質因數(RDS(ON)×Qg)。
本質二極體的恢復電荷(Recovery Charge)非常低，有助於提升開關性能。高抗雪崩特性及耐用性確保在惡劣條件下的穩健性能，反向傳輸電容對輸入電容(Crss/Ciss)的比值低，有助於強化抗電磁干擾(EMI Immunity)。
ST的60V STripFET F7 MOSFET是為同步整流(Synchronous Rectification)電路所訂製，能以更少的平行元件達成最大目標電流，藉此提高功率密度、降低元件使用數量。該系列共有12款產品，涵蓋所有工業標準電源，最大輸出電流從90～260安培(A)(在Tc=25℃下，矽限制連續汲極電流)。
意法半導體網址：www.st.com