戴樂格(Dialog)首次發表並展示該公司的氮化鎵功率IC產品，此產品採用台積電(TSMCs)的650V矽上氮化鎵(GaN-On-Silicon)製程技術。相較於目前基於標準矽基場效電晶體(FET)的設計，DA8801結合了Dialog的專利數位快速充電(Rapid Charge)電源轉換控制器，能實現更佳效率、更小體積、更高功率密度的轉接器。Dialog的氮化鎵解決方案初期將瞄準智慧型手機及運算裝置的快速充電轉接器市場，目前Dialog的電源轉換控制器在這個市場的市佔率已有七成以上。
戴樂格(Dialog)首次發表並展示該公司的氮化鎵功率IC產品，此產品採用台積電(TSMCs)的650V矽上氮化鎵(GaN-On-Silicon)製程技術。相較於目前基於標準矽基場效電晶體(FET)的設計，DA8801結合了Dialog的專利數位快速充電(Rapid Charge)電源轉換控制器，能實現更佳效率、更小體積、更高功率密度的轉接器。Dialog的氮化鎵解決方案初期將瞄準智慧型手機及運算裝置的快速充電轉接器市場，目前Dialog的電源轉換控制器在這個市場的市佔率已有七成以上。
Dialog企業發展與策略資深副總裁Mark Tyndall表示，氮化鎵電晶體的優異性能使該公司的客戶能製造出效率更高、更精密的電源轉接設計，符合今日的市場需求。接著BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技術電源管理IC(PMICs)上的成功，作為氮化鎵技術的先期創新者，Dialog再度領導新功率技術前進商業市場，將其運用於高度量產的消費應用。
氮化鎵技術能帶來全世界最快速的電晶體，是高頻及超高效率電源轉換的核心。Dialog的 DA8801半橋式設計整合了多建構區塊，例如閘驅動及位準轉換電路，以及650V電源開關，能提供最佳化解決方案，能使電源損失降低至50%，電源效率達94%。此產品能無縫實現氮化鎵技術，不需複雜電路來驅動離散式氮化鎵電源開關。
Dialog網址:www.dialog-semiconductor.com/