意法半導體(ST)發布兩款40V車用等級MOSFET。新產品採用意法半導體最新的STripFET F7製造技術，開關性能優異且效能出色、雜訊輻射極低，且抗干擾能力強。新產品最大輸出電流達120A，主要應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統，同時優異的開關特性使其適用於馬達驅動裝置，例如，電動助力轉向系統(Electric Power Steering, EPS)。
意法半導體(ST)發布兩款40V車用等級MOSFET。新產品採用意法半導體最新的STripFET F7製造技術，開關性能優異且效能出色、雜訊輻射極低，且抗干擾能力強。新產品最大輸出電流達120A，主要應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統，同時優異的開關特性使其適用於馬達驅動裝置，例如，電動助力轉向系統(Electric Power Steering, EPS)。
意法半導體的STripFET系列採用DeepGATE技術，達到降低晶片單位面積導通電阻和RDS(on) x柵電荷(Qg)值，在採用相同的功率元件封裝條件提供更高的效能。高雪崩耐受度特點是此新產品另一大亮點。
透過降低體效應二極體的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr)，STripFET F7增強切換性能和大幅提升產品效能，另外軟性反向恢復可大幅降低靜電干擾(Electromagnetic Interference, EMI)，從而放寬對濾波元件的要求。此外，優化此裝置的容值，使元件抗干擾性獲得改善，緩解對緩衝電路的需求，柵極磁滯電壓校調使元件具有良好的抗干擾功能，而無需專用柵極驅動器。在馬達驅動等電橋拓樸中，二極體軟性恢復特性有助於防止直通電流現象發生，從而提升驅動電路的可靠性。
意法半導體網址:www.st.com