砷化鎵(GaAs)功率放大器(PA)一直為功率放大器市場主流，隨著行動寬頻技術持續發展，對於砷化鎵功率放大器的需求也日益高漲，不過，砷化鎵功率放大器卻有著供貨不穩與成本結構過高的問題，因此廠商積極尋求解決之道，也促使互補式金屬氧化物半導體(CMOS)射頻(RF)功率放大器的崛起。
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| Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示，CMOS功率放大器在熱能的承受度上表現較佳， 毋須擔心因熱能造成功率放大器的損壞。 |
繼Black Sand與Skyworks等廠商成功推出2G CMOS RF功率放大器後，隨著3G智慧型手機市場逐漸成熟，Black Sand率先研發出3G CMOS RF功率放大器。Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示，該公司兩條新的3G CMOS RF功率放大器產品線BST34、35系列，包含六款且涵蓋多個頻段的功率放大器，可提高行動電話、平板裝置和數據卡的可靠性和資料傳輸率。
CMOS為目前半導體常用的製程技術，已累積許多研發經驗與建構完整的產業生態鏈。Nohrden指出，Black Sand的3G CMOS RF功率放大器由台積電代工，CMOS在產能上較為穩定，因此CMOS功率放大器的成本與可靠性也較砷化鎵功率放大器更勝一籌。此外，在吸收率(SAR)安全性方面，砷化鎵功率放大器也較易超出行動寬頻標準中對於射頻暴露的限制。
雖然CMOS功率放大器市場優勢多，但仍有許多設計挑戰須克服，因而導致目前市面上僅Black Sand一家推出3G CMOS功率放大器，Nohrden表示，由於砷化鎵利用類比訊號設計，較易達到高電壓的要求，但相對成本也較高，如何讓CMOS功率放大器也能達到高電壓、具備更好的行動性，再透過數位訊號使CMOS功率放大器更具智慧化都是主要的門檻。
為讓廠商盡快移轉至3G CMOS功率放大器，使行動裝置製造商獲益於更可靠的供應鏈、更高可靠性及更低成本，Nohrden表示，BST34系列的功能、接腳與目前包括亞德諾(ADI)等砷化鎵功率放大器廠商的產品完全相容，因此行動裝置業者可快速轉換既有的功率放大器產品，而無需過多的重新設計過程。而BST35系列具備TruePower高效能功率檢測器，可提高總輻射功率(TRP)效能達2dB，並可在實際工作環境中降低掉話率，以及提高數據傳輸速率。
Nohrden強調，為提高行動電話通話品質，對於功率放大器的TRP相當要求，不過過高的TRP將對人身安全造成危險，BST35系列僅提高2dB的TRP，仍在標準規範要求的範圍內，但較砷化鎵功率放大器通話品質更佳，如此一來，可減少大型基地台或毫微微型蜂巢式(Femtocell)基地台的數量，改善消費者關心的電磁波問題。